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2024 9급 지방직 전자공학개론
1번
순시 전류는
i(t)=Rv(t)=151202sin(ωt)=82sin(ωt) A
이다. 그리고 전류의 실횻값은 피크 전류를 2로 나눈 값이므로
Irms=282=8 A
이다. 따라서 답은 2번 이다.
2번
28=256<260<29=512
이므로 총 9개의 플립플롭이 필요하다. 따라서 답은 4번 이다.
3번
연산증폭기의 +단자로 들어가는 전류가 없으므로 10 kΩ 저항에 흐르는 전류도 없다. 따라서 전압강하도 없으므로 vi가 그대로 연산증폭기의 +단자에 인가된다.
그리고 네거티브 피드백에 의해 -단자에도 똑같은 전압이 걸린다. 이에 의해 1 kΩ의 양단에 걸리는 전압이 vi이고, 이 전압에 의한 전류가 5 kΩ 저항에도 그대로 흐르므로 5 kΩ저항의 양단 전압은 5vi이다.
따라서 5 kΩ의 오른쪽 전압은
네거티브 피드백들이 있으므로 연산증폭기의 +단자와 -단자의 전압은 같다. 왼쪽 연산증폭기의 +단자 전압이 0.5 V이므로 -단자 전압도 0.5 V이다. 오른쪽 연산증폭기 회로는 반전연산증폭기 회로이고, 증폭률은
A=−12=−2
이므로 출력력전압은
vo=−2×0.5=−1.0 V
이다. 따라서 답은 2번 이다.
7번
피드백 부호가 +이므로 발진조건은
AB=1∠0∘
이다. 따라서 답은 2번 이다.
8번
하틀리 발진기가 되기 위해서는 (가)에 인덕터, (나)에 커패시터가 들어가야 한다. 따라서 답은 3번 이다.
9번
드 모르간의 법칙을 이용해보자. 출력 F쪽의 NOT게이트를 입력 쪽으로 넘기면 NOR은 AND가 되고, 입력쪽의 NOT 게이트는 위아래에 있는 NOR 게이트와 합쳐져서 OR 게이트가 된다. 따라서
F=AB
가 되므로 답은 1번 이다.
10번
변조지수는 반송파의 진폭과와 정보신호의 진폭의 비율이므로
108=0.8
이다. 하측파대 신호는 반송파 주파수 2π1000π=500 Hz로부터 작은 쪽으로 정보신호의 주파수 2π100π=50 Hz만큼 떨어진 주파수이므로
500−50=450 Hz
이다. 따라서 답은 3번 이다.
11번
정확한 계산은 다음과 같다. 베이스 전압이 0.7 V이므로 베이스 전류는
IB=20010−0.7=4.65×10−2 mA
이다. 따라서 컬렉터 전류는
ICQ=βIB=100×4.65×10−2=4.65 mA
이다. 따라서 답은 3번 이다.
대충 풀면 다음과 같다. 대충 0.7 V를 무시하면 베이스 전류는 약 5×10−2 mA이다. 따라서 컬렉터 전류는 직류 전류 이득 100을 곱한 5 mA인데, 빼지 않은 0.7 V를 고려하면 이보다 약간 작을 것이다. 이에 해당하는 것은 4.65 mA이다.
12번
vi>0일 때 왼쪽 다이오드는 꺼지고 오른쪽 다이오드가 켜져서 가장 오른쪽 노드에 vi 가 가해진다. 이 전압이 가운데 1 kΩ와 왼쪽 1 kΩ에 똑같이 분배되므로 21vi가 출력된다.
vi<0일 때엔 왼쪽 다이오드가 켜지고 오른쪽 다이오드가 꺼지므로 왼쪽 노드에 vi가 걸린다. 이 전압이 마찬가지로 분배되는데, 방향성을 고려하면 출력되는 전압은 −21vi이다. 이때 vi가 음수인 것을 고려하면 결국 이 회로는 전파정류기이고, 출력이 입력의 절반임을 알 수 있다.
따라서 답은 2번 이다.
13번
F=ABC+ABC+ABC+A⋅BC=AB+AC
이다. 이에 해당하는 것은 1번 이다.
14번
네거티브 피드백이 있으므로 연산증폭기의 -단자 전압은 +단자 전압과 마찬가지로 0이다. 따라서 커패시터를 흐르는 전류는
이다. 64-QAM이므로 심벌당 비트수는 log264=6개이다. 나이퀴스트 대역폭을 사용하였으므로 2B=15 MHz이다. 따라서
C=6×15=90 Mbps
이므로 답은 1번 이다.
16번
테브닌 정리를 이용하자. RL자리를 떼어내고 전압원을 쇼트시키고 전류원을 개방시면 RL 자리에서 보이는 저항은
Rth=4+6∣∣3=4+26 kΩ
이므로 최대 전력 전달은 RL=Rth=6 kΩ일 때 일어난다. 다음으로 테브닌 전압을 구하기 위해 중첩의 원리를 사용하자. 먼저 전압원을 0으로 만들면, RL자리의 오른쪽 전압 VR은 0, 왼쪽 전압은
VL=2×(4+3∣∣6)=2×(4+2)=12 V
이므로 VL−VR=12−0=12 V이다. 다음으로 전류원을 0으로 만들면 VR=3 V가 되고, 4 kΩ를 흐르는 전류가 없으므로 전압 강하도 없어서 VL은 가운데 전압과 같게 된다. 가운데 전압은 3 V가 6 kΩ와 3 kΩ 중 3 kΩ에 분배되는 전압과 같으므로
VL=3×3+63=1 V
이다. 따라서 이 때의 VL−VR=1−3=−2 V이다. 앞서 구한 결과와 더하면 테브닌 전압은
Vth=12−2=10 V
이다. 따라서 전달되는 최대 전력은
PL=4RthVth2=4×6102=625 mW
이므로 답은 4번 이다.
17번
중첩의 원리를 이용하자. 우선 전류원을 개방하면 20 V 전압이 4+3+5+2+1=15Ω의 합성 저항에 걸리므로 이 때의 전류는
io=1520=34 A
이다. 다음으로 전압원을 쇼트시키면 전류원의 왼쪽은 4+1=5Ω 저항이 되고, 오른쪽은 3+5+2=10Ω 저항이 된다. 따라서 저항의 비율이 1:2이므로 전류 비율은 2:1이 되어서 3 A의 전류는 왼쪽에서는 시계 방향으로 2 A만큼 흐르고, 오른쪽에서는 반시계 방향으로 1 A만큼 흐른다. 즉
io=−1 A
이다. 두 결과를 더하면
io=34−1=31 A
이므로 답은 1번 이다.
18번
네거티브 피드백이 있으므로 연산증폭기의 +단자 전압이 -단자에 그대로 나타난다. 따라서 -단자 전압은 vi이고, 이 전압이 그대로 출력으로 전달되므로 vo=vi인 회로이다.
반전 증폭기 회로이다.
비반전 증폭기 회로이다.
입력 전압 vi가 +단 전압인 vo×10+55=3vo을 경계로 바뀔 때 출력 전압이 바뀌는 슈미트 트리거이다.
따라서 답은 4번 이다.
19번
vi=0이면 PMOS는 켜지고 NMOS는 꺼진다. 반대로 vi=5 V이면 PMOS는 꺼지고 NMOS는 켜진다. 따라서 답은 3번 이다.
20번
최대 전압이 되면 다이오드가 꺼져서 커패시터가 저항을 통해 방전하므로 출력 전압은
vo=vpe−RCt
로 감쇄한다. 이를 테일러 급수로 1차 근사하면
vo≈vp(1−RCt)
이다. 근사적으로 vo가 다음 신호가 들어오는 T동안 감쇄한다고 하면, 이 때의 vo는