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2022 7급 군무원 전자회로
1번
변압기의 권선비가 2:1이므로 2차측에서의 교류전압의 크기는 60 V이다.
먼저 처음 양의 전압이 나타날 때를 살펴보자. D1은 꺼지므로, D2와 C1,C2가 직렬 연결된 상황이 될 것이다.
따라서 C1의 왼쪽에는 60 V, 오른쪽에는 약 30 V, C2의 위는 C1의 오른쪽과 같은 노드이므로 약 30 V, 아래는 접지이므로 0이다.
다음으로 음의 전압이 나타날 때를 생각해보자. 최저 전압인 -60 V가 나타날 때 D1은 켜지고 D2는 꺼질 것이다.(왜일까?) C1의 왼쪽에는 -60 V, 오른쪽에는 약 0가 걸려서 약 60 V가 충전된다. C2의 위쪽은 꺼진 다이오드로 인해 개방 상태이므로 전압은 여전히 약 30 V이다.
그 이후 -30 V로 전압이 올라가게 되면 C1의 오른쪽 전압은 약 −30+60=30 V가 되어 D2는 켜지려고 한다. (D1은 꺼진 지 오래이다. 약 0는 최저 전압일 때까지만 나타나니까 그 이후로는 음극 전압이 더 높다.)
이후 최대 전압인 +60 V까지 총 약 60−(−30)=90 V가 상승하는데, 이 전압 변화의 절반이 D2 양단에 나타난다. 즉 C1의 오른쪽에는 약 30+90/2=75 V가 걸린다.
다음으로 전압이 내려가기 시작해서 약 -15 V가 되는 순간 D1이 켜지기 시작하므로 -60 V까지 내려가면 C1은 60 V가 다시 충전된다.
다음으로 변압기 출력이 75−60=15 V가 되는 순간 D2가 켜지기 시작하므로 (60−15)/2=22.5 V만큼 D2의 양단 전압이 상승하여 약 75+22.5=97.5 V가 된다.
이 다음으로는 (97.5−60)/2가 상승하는 등의 사이클이 반복될 것이다. 이를 관찰하면 n번째의 전압 an은 60−an−1/2임을 알 수 있다. 따라서 n이 무한대로 가면
60+30+15+7.5+3.75+⋯=1−2160=120 V
이다. 따라서 답은 2번 이다.
2번
Q1의 출력 임피던스는
ro1=RC∣∣rπ2
이다. 전압 이득은 이미터 쪽의 저항과 출력 임피던스의 비율이므로
Av=−gm11+RERC∣∣rπ2
이다. 따라서 답은 3번 이다.
3번
베이스 전류는
IB=86 k5−0.7=50 mA
이다. 따라서 컬렉터 전류는
IC=βIB=5 mA
이므로 VCE는
VCE=12−2 k×5 m=2 V
이다. 따라서 답은 4번 이다.
4번
포화 상태의 VCE는 VCE(sat)=0.2 V이다. 이 때 컬렉터 전류는
IC=74015−0.2≈20 mA
이다. 따라서 이 때의 베이스 전류가 최소이며
IBmin=βDCIC=0.2 mA
인데, 이의 2배의 전류를 사용하므로
IB=2IBmin=0.4 mA
이다. 따라서 필요한 입력전압은
VIN=RBIB+VBE=10×0.4+0.7=4.7 V
이므로 답은 3번 이다.
5번
Q2의 이미터 쪽 임피던스는 Re2=50∣∣50=25이므로 Q2의 베이스 임피던스는 교류 이미터 저항을 무시하므로 βac2Re2=2.5 kΩ이다.
Q1의 베이스 입력 임피던스는 이 임피던스가 다시 βac1배 된 것이므로
zin(base)=100×2.5 kΩ=250 kΩ
이다. 따라서 답은 4번 이다.
6번
작동을 위해 사용하는 직류 전력은 10×0.5=5 W이다. 효율이 70%이므로 교류 출력 전력을 구하기 위해 방정식을 세우면
η⇒Pac⇒Pac=0.7=PdcPac=0.7Pdc=3.5 W
이므로 답은 3번 이다.
7번
게이트 쪽 저항이 5 MΩ로 매우 크므로 무시하자. 출력 임피던스는 Ro=RD∣∣RL=2∣∣2=1 kΩ이다.
따라서 교류 출력 전압은
Vout=VingmRo=15×5×1=75 mV
이다. 따라서 답은 1번 이다.
8번
VBE=0 이므로 RE에 걸리는 전압은
VRE=0−(−16)=16 V
이다. 따라서 RE를 흐르는 전류는
IRE=816=2 mA
이다. 이 전류가 두 트랜지스터에 절반씩 흐르는 것이므로 콜렉터 전압 VC는
VC=VCC−RCIC=16−10×22=6 V
이다. 따라서 답은 4번 이다.
9번
입력 바이어스 전류의 존재로 인해서 OPAMP의 -단 쪽에 Ib만큼 전류가 흐른다고 가정하자. 네거티브 피드백에 의해서 +쪽의 전압 0이 -단에도 그대로 나타나므로, Ib는 R2에서만 온다(왜 R1에서는 오지 않을까?) 따라서 출력 전압에는 이로 인한 10Ib만큼의 전압이 더 출력된다.
한편 +쪽에도 전류 Ib가 흐른다면, 이로 인해 +단에는 −R보상Ib가 입력된다. 이는 비반전 증폭되어 출력 전압에는 (1+1010)×(−R보상Ib)로 나타난다. 이 둘의 합이 0이 되어야 하므로
변압기 비율이 4:1이므로 2차측의 최대 전압은 200/4=50 V이다.
다이오드 2개를 거쳐서 전압이 출력되므로 최대 출력전압은
50−0.7×2=48.6 V
이므로 답은 2번 이다.
14번
M2의 출력 임피던스는 gm21이다. CS 증폭기의 전압 이득은 (드레인 쪽 임피던스)/(소스 쪽 임피던스) 이므로
Av=−gm11+gm21RD
이다. 따라서 답은 1번 이다.
15번
바디에 금속 단자를 연결하기 위해서는 Ohmic Contact가 만들어져야 한다. 이를 위해서 substrate와 같은 타입의 도핑을 높게 해서 터널링을 이용하여 저항과 같은 성질을 띠게 해준다. 따라서 p+이다.
substrate가 p타입이니 채널은 n타입이고 nMOS이다.
실리콘 위의 절연막이므로 $SiO2이다.
이쪽은 pMOS이므로 소스는 p+이다.
n타입 substrate 역할을 하는 n-well이다.
따라서 답은 3번 이다.
16번
중첩을 이용하자. R1=R2=R3=5 kΩ이고 Rf=10 kΩ이므로 이득은 모두 똑같이 −510=2이다.
따라서 출력은 각 입력전압을 다 더해서 이득을 곱해주면 되니
Vout=−(0.8+1.1+0.5)×2=−4.8 V
이다. 따라서 답은 3번 이다.
17번
커패시터의 한 쪽이 접지였다면 이 커패시터에 걸리는 전압은 다른 쪽의 전압으로 결정되지만, 다른 쪽이 −gmRD라는 이득을 갖고 있다면 이 커패시터에 V를 걸었을 때 다른 쪽의 전압은 −gmRDV가 되어서 총 V−(−gmRDV)=V(1+gmRD)의 전압이 걸린다.
즉 원래 V를 걸었을 때 I만큼 전류를 흘리던 임피던스가 실질적으로 전압이 그만큼 커진 것에 대한 만큼의 전류를 흘리게 되므로 임피던스는 1+gmRD1배가 된다.
따라서 입력 커패시턴스는
Cin=CF(1+gmRD)
가 된다. 반대로 이득이 있는 쪽에 V라는 전압을 걸기 위해서는 다른 쪽에서 −gmRDV의 전압을 걸어야 하므로 총 전압은 V−(−gmRDV)=V(1+gmRD1)가 된다.
따라서 임피던스는 이의 역수배가 되므로 출력 커패시턴스는